半導体

中国、AIチップ冷却問題に 12 インチ SiC 基盤を初開発

湖南泰坦未来科技は、中国初の 12 インチ多結晶炭化珪素（SiC）基盤を開発した。AIチップや先進パッケージングの冷却ボトルネックへの対応を目的としており、TSMC の認証試験を合格し、三星へのサンプル提供も実施。堆積速度や抵抗率で国際的な競合をリードしている。

1 社の報道をもとに AI が要約

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